Евтушенко Геннадий Сергеевич - заведующий кафедрой Промышленной и медицинской электроники ПМЭ

Евтушенко Геннадий Сергеевич, 1947 года рождения, уроженец села Троицкое, Ханкайского района, Приморского края, Россия. Закончил Дальневосточный государственный университет, г.Владивосток (1970 г.) и аспирантуру Томского госуниверситета (1979 г.). Имеет ученые степени: кандидата физико-математических наук (1979 г.) и доктора технических наук (1995 г.). Ученые звания «старший научный сотрудник» (1991 г.) и «профессор» (2002 г.)
С 2001 г. Геннадий Сергеевич является заведующим кафедрой промышленной и медицинской электроники электрофизического факультета Томского политехнического университета, а с 2002г. - деканом электрофизического факультета. Стаж научно-педагогической деятельности Геннадия Сергеевича составляет 39 лет (Томский госуниверситет и Сибирский физико-технический институт при ТГУ, 1970-1980 гг., СКБ НП «Оптика» и Институт оптики атмосферы СО РАН, 1980-2008 гг., ТПУ, с 1995 г. по настоящее время).
Он читает лекции и ведет практические занятия по дисциплинам: «Квантовая и оптическая электроника» и «Лазерные системы в медицине», “Quantum and Optoelectronics” (на английском языке).
Основное направление научной деятельности Евтушенко Г.С. - исследование и разработка лазеров на парах металлов и их соединений, устройств на их основе для задач оптики атмосферы, медицины и др. применений. Предметом исследований, в частности, является исследование механизмов ограничения частот следования и длительности импульсов излучения лазеров на парах металлов, поиск и разработка новых схем возбуждения активных сред, разработка компактных и ИНКективных источников питания лазеров данного класса, поиск новых лазерно-активных сред.
Геннадий Сергеевич - постоянный участник (исполнитель и руководитель) ряда Грантов Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), 1999 – 2006 гг., Американского Института Физики (1993 г.), Международного научного фонда Сороса, (JDR 100, 1995 г.), «Университеты России» (2005 г.), Минобрнауки «Развитие научного потенциала высшей школы» (2006-2008 и 2009-2010 гг.), инициативных и хоздоговорных работ. Участник национальных и международных симпозиумов и конференций (более 40), в двух из которых является постоянным членом Оргкомитетов («Лазеры на парах металлов и их применение», 1996 – 2006 гг., “Atomic and Molecular Pulsed Lasers”, 1992 – 2009 гг.).
Он имеет 170 публикаций, из них 5 учебных пособий, 2 лабораторных практикума, 5 патентов РФ.
Под научным руководством Евтушенко Г.С. подготовлено 8 кандидатов наук (Гриднев А.Г., 1996 г., Павлинский А.В., 2003 г., Жданеев О.В., 2004 г., Болотина И.О., 2005 г., Филонов А.Г., 2005 г., Бычков В.В., 2006 г., Шиянов Д.В., 2007 г., Губарев Ф.А., 2008 г.). В настоящее время он осуществляет руководство 3 аспирантами, является научным консультантом двух докторантов.
Евтушенко Г.С. является членом Ученого совета Томского политехнического университета, членом 3-х диссертационных советов по присуждению ученой степени доктора наук при ТПУ и ИОА СО РАН, членом Коллегии национальных экспертов по лазерам и лазерным технологиям, действительным членом Международного Оптического общества им. Д.С. Рождественского, действительным членом Американского оптического общества, членом УМС по «Биомедицинской инженерии» и «Электронике и микроэлектронике», УМО по образованию в области радиотехники, электроники, биомедицинской техники и автоматизации. Евтушенко Г.С. – действительный член Академии проблем качества и член-корреспондент МАН ВШ.
Евтушенко Г.С. является лауреатом конкурсов прикладных работ СО РАН (1986 г.), Томской областной администрации в сфере образования и науки (1997 г.). За активную научно-педагогическую деятельность он награжден рядом дипломов и грамот ТПУ, городской и областной администраций, РАН.